Intel og Micron forøger forspringet inden for NAND Flash hukommelse
Intel og Micron Technology Inc. introducerede i dag en ny og mere effektiv 20 nanometer (nm) procesteknologi til fremstilling af NAND flash-hukommelse. Den nye 20nm proces kan producere en 8-gigabyte (GB) multiplans (MLC) NAND flash-enhed, som kan benyttes til at lagre musik, video, bøger og data på smartphones, tablets og computerløsninger såsom SSD harddiske.
Væksten inden for dataopbevaringsmarkedet kombineret med forbedrede funktioner på tablets og smartphones er med til at stille højere krav til NAND flash-teknologien - især højere kapacitet i mindre indpakning. Den nye 20nm 8GB enhed er ikke større end 118mm2 og muliggør en 30-40 procents reducering i pladskrav i forhold til Intels nuværende 25nm 8GB NAND enhed. En reduktion af flash-hukommelsens layout giver større systemeffektivitet og sætter tablet- og smartphoneproducenter i stand til at benytte den ekstra plads til at forbedre slutproduktet.
Den nye 20nm 8GB enhed er fremstillet af IM Flash Technologies, som er Intels og Microns joint venture udi NAND flash. Enheden er et gennembrud i NAND proces og teknologidesign og øger Intel og Microns forspring betydeligt. At formindske NAND litografi til denne størrelse er den mest priseffektive måde at forbedre effektiviteten fra halvlederfabrikker på. Den mindre størrelse gør, at fabrikkerne kan fremstille enheder med cirka 50 procent højere gigabytekapacitet i forhold til den nuværende teknologi. Den nye 20nm proces bevarer ydelsen og holdbarheden fra 25nm NAND teknologien.